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Módulo de ABB
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| Lugar de origen | Suecia |
| Nombre de la marca | ABB |
| Certificación | CO.CQ |
| Número de modelo | 3BHE006412R0101 |
♦ Skype: miyazheng520
♦ QQ: 2851195450
♦ ¿Cuál es la aplicación: 86-18020776792
Información general
ABB 3BHE006412R0101
IGBT (InsulatedGateBipolarTransistor), transistor bipolar de puerta aislada, es un compuesto totalmente controlado
dispositivo semiconductor de potencia impulsado por voltaje compuesto por BJT (transistor bipolar) y MOS (transistor de efecto de campo de puerta aislada),
y tiene una alta entrada de MOSFET Tanto la impedancia como la baja caída de voltaje de encendido del GTR. El voltaje de saturación GTR
se reduce, la densidad de transporte de corriente es grande, pero la corriente de conducción es grande; el poder de conducción MOSFET es pequeño, t
La velocidad de conmutación es rápida, pero la caída de voltaje de conducción es grande y la densidad de transporte de corriente es pequeña.
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Noticias de automatización
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Acerca de nosotros
MOORE AUTOMATION LIMITED se centra en los sistemas de control, desde el legado hasta la vanguardia.
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